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殘壓比KR  

通過壓敏電阻器的電流為某一值時(shí)，在它兩端所產(chǎn)生的電壓稱為這一電流值的殘壓。殘壓比則是殘壓與標(biāo)稱電壓之比。

殘壓比KR的定義公式為：

KR =UR/UN

殘壓比可以比較直觀地反應(yīng)出壓敏電阻限制過電壓的能力，在壓敏材料的研究工作中已得到廣泛的應(yīng)用，在防雷壓敏電阻、避雷器閥片和高能型壓敏電阻閥片中以成為標(biāo)準(zhǔn)電性能參數(shù)。

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壓敏電壓和電阻器厚度的關(guān)系：

對ZnO壓敏電阻器，加在每晶界上的電壓約為3.5V，所以當(dāng)晶粒大小一定時(shí)，壓敏電阻器越厚，壓敏電壓越高，關(guān)系如下：

U=UgbNgt , E0.5=U/t

由于壓敏電阻型號(hào)太多，篇幅有限，恕不一一呈現(xiàn)，欲知詳請，歡迎撥打圖片中的咨詢電話與我們源林電子聯(lián)系，謝謝！

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電壓溫度系數(shù)TC

電壓溫度系數(shù)指在規(guī)定的溫度范圍（溫度范圍為20℃～70℃）內(nèi)，壓敏電阻器標(biāo)稱電壓的變化率，即在通過壓敏電阻器的電流保持恒定時(shí)，溫度改變1°C時(shí)，壓敏電阻器兩端電壓的相對變化。嚴(yán)格說，電壓溫度系數(shù)不是一個(gè)常數(shù)，在不同溫度下，T值是不同的，不過通常不需要給出TC與溫度的關(guān)系曲線。

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